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| ファイル | 記述 | サイズ | フォーマット | |
|---|---|---|---|---|
| ykogk04316.pdf | Abstract_要旨 | 196.6 kB | Adobe PDF | 見る/開く |
| gkogk04316.pdf | Digest_要約 | 205.66 kB | Adobe PDF | 見る/開く |
| タイトル: | SiCの結晶欠陥がショットキー障壁ダイオード特性に及ぼす影響と特性改善に関する研究 |
| 著者: | 藤原, 広和  |
| 著者名の別形: | Fujiwara, Hirokazu |
| キーワード: | SiC ダイオード エピタキシャル成長 積層欠陥 転位 表面ラフネス |
| 発行日: | 23-Mar-2017 |
| 出版者: | 京都大学 (Kyoto University) |
| 学位授与大学: | 京都大学 |
| 学位の種類: | 新制・課程博士 |
| 取得分野: | 博士(工学) |
| 報告番号: | 甲第20379号 |
| 学位記番号: | 工博第4316号 |
| metadata.dc.date.granted: | 2017-03-23 |
| 請求記号: | 新制||工||1669(附属図書館) |
| 研究科・専攻: | 京都大学大学院工学研究科電子工学専攻 |
| 論文調査委員: | (主査)教授 木本 恒暢, 教授 山田 啓文, 准教授 浅野 卓 |
| 学位授与の要件: | 学位規則第4条第1項該当 |
| 著作権等: | 学位規則第9条第2項により要約公開 |
| DOI: | 10.14989/doctor.k20379 |
| URI: | http://hdl.handle.net/2433/225604 |
| 出現コレクション: | 090 博士(工学) |
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