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| ファイル | 記述 | サイズ | フォーマット | |
|---|---|---|---|---|
| ApplPhysLett_87_051912.pdf | 123.98 kB | Adobe PDF | 見る/開く |
完全メタデータレコード
| DCフィールド | 値 | 言語 |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Fujiwara, H | en |
| dc.contributor.author | Kimoto, T | en |
| dc.contributor.author | Tojo, T | en |
| dc.contributor.author | Matsunami, H | en |
| dc.date.accessioned | 2006-12-25T02:30:08Z | - |
| dc.date.available | 2006-12-25T02:30:08Z | - |
| dc.date.issued | 2005-08-01 | - |
| dc.identifier.citation | H. Fujiwara et al., Appl. Phys. Lett. 87, 051912 (2005) | - |
| dc.identifier.issn | 0003-6951 | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/2433/24192 | - |
| dc.format.extent | 126959 bytes | - |
| dc.format.mimetype | application/pdf | - |
| dc.language.iso | eng | - |
| dc.publisher | American Institute of Physics | en |
| dc.rights | Copyright 2005 American Institute of Physics. This article may be downloaded for personal use only. Any other use requires prior permission of the author and the American Institute of Physics. | en |
| dc.title | Characterization of in-grown stacking faults in 4H-SiC (0001) epitaxial layers and its impacts on high-voltage Schottky barrier diodes | en |
| dc.type | journal article | - |
| dc.type.niitype | Journal Article | - |
| dc.identifier.ncid | AA00543431 | - |
| dc.identifier.jtitle | Applied Physics Letters | en |
| dc.identifier.volume | 87 | - |
| dc.identifier.issue | 5 | - |
| dc.relation.doi | 10.1063/1.1997277 | - |
| dc.textversion | publisher | - |
| dc.identifier.artnum | 051912 | - |
| dc.relation.url | http://link.aip.org/link/?apl/87/051912 | - |
| dcterms.accessRights | open access | - |
| 出現コレクション: | 学術雑誌掲載論文等 | |
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