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| ファイル | 記述 | サイズ | フォーマット | |
|---|---|---|---|---|
| JApplPhys_96_224.pdf | 303.33 kB | Adobe PDF | 見る/開く |
完全メタデータレコード
| DCフィールド | 値 | 言語 |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Negoro, Y | en |
| dc.contributor.author | Katsumoto, K | en |
| dc.contributor.author | Kimoto, T | en |
| dc.contributor.author | Matsunami, H | en |
| dc.date.accessioned | 2006-12-25T02:30:10Z | - |
| dc.date.available | 2006-12-25T02:30:10Z | - |
| dc.date.issued | 2004-07-01 | - |
| dc.identifier.citation | Y. Negoro et al., J. Appl. Phys. 96, 224-228 (2004) | - |
| dc.identifier.issn | 0021-8979 | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/2433/24196 | - |
| dc.format.extent | 310611 bytes | - |
| dc.format.mimetype | application/pdf | - |
| dc.language.iso | eng | - |
| dc.publisher | American Institute of Physics | en |
| dc.rights | Copyright 2004 American Institute of Physics. This article may be downloaded for personal use only. Any other use requires prior permission of the author and the American Institute of Physics. | en |
| dc.title | Electronic behaviors of high-dose phosphorus-ion implanted 4H-SiC(0001) | en |
| dc.type | journal article | - |
| dc.type.niitype | Journal Article | - |
| dc.identifier.ncid | AA00693547 | - |
| dc.identifier.jtitle | Journal of Applied Physics | en |
| dc.identifier.volume | 96 | - |
| dc.identifier.issue | 1 | - |
| dc.identifier.spage | 224 | - |
| dc.identifier.epage | 228 | - |
| dc.relation.doi | 10.1063/1.1756213 | - |
| dc.textversion | publisher | - |
| dc.relation.url | http://link.aip.org/link/?jap/96/224 | - |
| dcterms.accessRights | open access | - |
| 出現コレクション: | 学術雑誌掲載論文等 | |
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