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| ファイル | 記述 | サイズ | フォーマット | |
|---|---|---|---|---|
| JApplPhys_91_4242.pdf | 445.42 kB | Adobe PDF | 見る/開く |
完全メタデータレコード
| DCフィールド | 値 | 言語 |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Kimoto, Tsunenobu | en |
| dc.contributor.author | Miyamoto, Nao | en |
| dc.contributor.author | Schoner, Adolf | en |
| dc.contributor.author | Saitoh, Akira | en |
| dc.contributor.author | Matsunami, Hiroyuki | en |
| dc.contributor.author | Asano, Katsunori | en |
| dc.contributor.author | Sugawara, Yoshitaka | en |
| dc.date.accessioned | 2006-12-25T02:30:14Z | - |
| dc.date.available | 2006-12-25T02:30:14Z | - |
| dc.date.issued | 2002-04-01 | - |
| dc.identifier.citation | T. Kimoto et al., J. Appl. Phys. 91, 4242-4248 (2002) | - |
| dc.identifier.issn | 0021-8979 | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/2433/24202 | - |
| dc.format.extent | 456111 bytes | - |
| dc.format.mimetype | application/pdf | - |
| dc.language.iso | eng | - |
| dc.publisher | American Institute of Physics | en |
| dc.rights | Copyright 2002 American Institute of Physics. This article may be downloaded for personal use only. Any other use requires prior permission of the author and the American Institute of Physics. | en |
| dc.title | High-energy (MeV) Al and B ion implantations into 4H-SiC and fabrication of pin diodes | en |
| dc.type | journal article | - |
| dc.type.niitype | Journal Article | - |
| dc.identifier.ncid | AA00693547 | - |
| dc.identifier.jtitle | Journal of Applied Physics | en |
| dc.identifier.volume | 91 | - |
| dc.identifier.issue | 7 | - |
| dc.identifier.spage | 4242 | - |
| dc.identifier.epage | 4248 | - |
| dc.relation.doi | 10.1063/1.1459096 | - |
| dc.textversion | publisher | - |
| dc.relation.url | http://link.aip.org/link/?jap/91/4242 | - |
| dcterms.accessRights | open access | - |
| 出現コレクション: | 学術雑誌掲載論文等 | |
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