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ApplPhysLett_76_3412.pdf542.61 kBAdobe PDF見る/開く
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dc.contributor.authorNakamura, Shun-ichien
dc.contributor.authorKimoto, Tsunenobuen
dc.contributor.authorMatsunami, Hiroyukien
dc.contributor.authorTanaka, Satoruen
dc.contributor.authorTeraguchi, Nobuakien
dc.contributor.authorSuzuki, Akiraen
dc.date.accessioned2006-12-25T02:30:18Z-
dc.date.available2006-12-25T02:30:18Z-
dc.date.issued2000-06-05-
dc.identifier.citationS. Nakamura et al., Appl. Phys. Lett. 76, 3412-3414 (2000)-
dc.identifier.issn0003-6951-
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/2433/24209-
dc.format.extent555637 bytes-
dc.format.mimetypeapplication/pdf-
dc.language.isoeng-
dc.publisherAmerican Institute of Physicsen
dc.rightsCopyright 2000 American Institute of Physics. This article may be downloaded for personal use only. Any other use requires prior permission of the author and the American Institute of Physics.en
dc.titleFormation of periodic steps with a unit-cell height on 6H-SiC (0001) surface by HCl etchingen
dc.typejournal article-
dc.type.niitypeJournal Article-
dc.identifier.ncidAA00543431-
dc.identifier.jtitleApplied Physics Lettersen
dc.identifier.volume76-
dc.identifier.issue23-
dc.identifier.spage3412-
dc.identifier.epage3414-
dc.relation.doi10.1063/1.126663-
dc.textversionpublisher-
dc.relation.urlhttp://link.aip.org/link/?apl/76/3412-
dcterms.accessRightsopen access-
出現コレクション:学術雑誌掲載論文等

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