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| ファイル | 記述 | サイズ | フォーマット | |
|---|---|---|---|---|
| LTM-33_10.pdf | 1.42 MB | Adobe PDF | 見る/開く |
| タイトル: | <研究ノート>超ワイドバンドギャップ半導体AlNにおける励起子再結合過程の同定 |
| その他のタイトル: | <Research Report>Clarifying exciton recombination paths in ultrawide-bandgap semiconductor AlN |
| 著者: | 船戸, 充    https://orcid.org/0000-0002-5455-3757 (unconfirmed)市川, 修平  川上, 養一 https://orcid.org/0000-0003-3752-1507 (unconfirmed) |
| 著者名の別形: | Funato, Mitsuru Ichikawa, Syuhei Kawakami, Yoichi |
| 発行日: | Dec-2018 |
| 出版者: | 京都大学環境安全保健機構 物性科学センター |
| 誌名: | 京都大学物性科学センター誌 : LTMセンター誌 |
| 巻: | 33 |
| 開始ページ: | 10 |
| 終了ページ: | 17 |
| 抄録: | Dominant nonradiative recombination paths in ultrawide-bandgap semiconductor AlN are investigated using temperature-dependent cathodoluminescence (CL) mapping measurements. The dark spot contrasts originating from nonradiative recombination at threading dislocations (TDs) drastically decrease upon elevating the temperature above ~60 K. This is interpreted by considering that generated excitons are captured by point defects (PDs) before reaching TDs. Compared with other nitride semiconductors such as GaN, AlN involves much more PDs due to the smaller formation energies of vacancies, which significantly contribute to determining the recombination process in AlN. |
| DOI: | 10.14989/245118 |
| URI: | http://hdl.handle.net/2433/245118 |
| 関連リンク: | http://www.ltm.kyoto-u.ac.jp/centershi/ |
| 出現コレクション: | 第33号 |
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