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| ファイル | 記述 | サイズ | フォーマット | |
|---|---|---|---|---|
| dkogk04996.pdf | Dissertation_全文 | 4.71 MB | Adobe PDF | 見る/開く |
| ykogk04996.pdf | Abstract_要旨 | 249.37 kB | Adobe PDF | 見る/開く |
| タイトル: | Growth and Process-Induced Deep Levels in Wide Bandgap Semiconductor GaN and SiC |
| その他のタイトル: | 結晶成長及びプロセスにより導入されるワイドバンドギャップ半導体GaN及びSiC中の深い準位 |
| 著者: | Kanegae, Kazutaka |
| 著者名の別形: | 鐘ケ江, 一孝 |
| キーワード: | Wide Bandgap Semiconductor Gallium Nitride Silicon Carbide Deep Level Capacitance Transient Spectroscopy Defect |
| 発行日: | 23-Mar-2022 |
| 出版者: | Kyoto University |
| 記述: | 付記する学位プログラム名: 京都大学卓越大学院プログラム「先端光・電子デバイス創成学」 |
| 学位授与大学: | 京都大学 |
| 学位の種類: | 新制・課程博士 |
| 取得分野: | 博士(工学) |
| 報告番号: | 甲第23909号 |
| 学位記番号: | 工博第4996号 |
| metadata.dc.date.granted: | 2022-03-23 |
| 請求記号: | 新制||工||1780(附属図書館) |
| 研究科・専攻: | 京都大学大学院工学研究科電子工学専攻 |
| 論文調査委員: | (主査)教授 木本 恒暢, 教授 川上 養一, 准教授 安藤 裕一郎 |
| 学位授与の要件: | 学位規則第4条第1項該当 |
| 著作権等: | 許諾条件により本文は2023-03-23に公開 |
| DOI: | 10.14989/doctor.k23909 |
| URI: | http://hdl.handle.net/2433/275231 |
| 出現コレクション: | 090 博士(工学) |
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