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| ファイル | 記述 | サイズ | フォーマット | |
|---|---|---|---|---|
| mfeku_49_1_21.pdf | 1.89 MB | Adobe PDF | 見る/開く |
| タイトル: | Epitaxial Growth of Thick Single Crystalline Cubic Silicon Carbide by Sublimation Method |
| 著者: | YOO, Woosik NISHINO, Shigehiro MATSUNAMI, Hiroyuki |
| 発行日: | 28-Feb-1987 |
| 出版者: | Faculty of Engineering, Kyoto University |
| 誌名: | Memoirs of the Faculty of Engineering, Kyoto University |
| 巻: | 49 |
| 号: | 1 |
| 開始ページ: | 21 |
| 終了ページ: | 31 |
| 抄録: | The epitaxial growth of thick single crystalline cubic silicon carbide (3C-SiC) was carried out by the sublimation method on a CVD grown 3C-SiC (100) substrate for the first time. Polytypes of the grown layer were examined by photoluminescence measurement. Improvement of crystallinity with crystal growth was confirmed by X-ray rocking curve analysis and observation of surface morphologies turned out by molten KOH etching. |
| URI: | http://hdl.handle.net/2433/281343 |
| 出現コレクション: | Vol.49 Part 1 |
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