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タイトル: Study on Forming and Resistive Switching Phenomena in Tantalum Oxide for Analog Memory Devices
その他のタイトル: アナログメモリ素子応用に向けたタンタル酸化物におけるフォーミングおよび抵抗変化現象に関する研究
著者: Miyatani, Toshiki
著者名の別形: 宮谷, 俊輝
キーワード: resistive switching
analog memory devices
tantalum oxide
conductive filament
oxygen vacancy
Joule heating
発行日: 23-Mar-2023
出版者: Kyoto University
記述: 付記する学位プログラム名: 京都大学卓越大学院プログラム「先端光・電子デバイス創成学」
学位授与大学: 京都大学
学位の種類: 新制・課程博士
取得分野: 博士(工学)
報告番号: 甲第24622号
学位記番号: 工博第5128号
metadata.dc.date.granted: 2023-03-23
請求記号: 新制||工||1980(附属図書館)
研究科・専攻: 京都大学大学院工学研究科電子工学専攻
論文調査委員: (主査)教授 木本 恒暢, 教授 白石 誠司, 准教授 小林 圭
学位授与の要件: 学位規則第4条第1項該当
著作権等: 許諾条件により本文は2024-03-01に公開
DOI: 10.14989/doctor.k24622
URI: http://hdl.handle.net/2433/283741
出現コレクション:090 博士(工学)

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