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| ファイル | 記述 | サイズ | フォーマット | |
|---|---|---|---|---|
| dkogk05254.pdf | Dissertation_全文 | 47.44 MB | Adobe PDF | 見る/開く |
| ykogk05254.pdf | Abstract_要旨 | 252.09 kB | Adobe PDF | 見る/開く |
| タイトル: | High-Field Transport at Heavily-Doped SiC Schottky Contacts and Formation of Non-Alloyed Ohmic Contacts |
| その他のタイトル: | 高濃度ドープSiCショットキー接合における高電界輸送および非合金化オーミック接合の形成 |
| 著者: | Hara, Masahiro |
| 著者名の別形: | 原, 征大 |
| キーワード: | Silicon Carbide Schottky Contacts Ohmic Contacts Tunneling Current Ion Implantation Heavy Doping |
| 発行日: | 25-Mar-2024 |
| 出版者: | Kyoto University |
| 記述: | 付記する学位プログラム名: 京都大学卓越大学院プログラム「先端光・電子デバイス創成学」 |
| 学位授与大学: | 京都大学 |
| 学位の種類: | 新制・課程博士 |
| 取得分野: | 博士(工学) |
| 報告番号: | 甲第25295号 |
| 学位記番号: | 工博第5254号 |
| metadata.dc.date.granted: | 2024-03-25 |
| 請求記号: | 新制||工||2000(附属図書館) |
| 研究科・専攻: | 京都大学大学院工学研究科電子工学専攻 |
| 論文調査委員: | (主査)教授 木本 恒暢, 教授 白石 誠司, 准教授 船戸 充 |
| 学位授与の要件: | 学位規則第4条第1項該当 |
| 著作権等: | 許諾条件により本文は2025-03-10に公開 |
| DOI: | 10.14989/doctor.k25295 |
| URI: | http://hdl.handle.net/2433/288729 |
| 出現コレクション: | 090 博士(工学) |
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