ダウンロード数: 7
このアイテムのファイル:
| ファイル | 記述 | サイズ | フォーマット | |
|---|---|---|---|---|
| dkogk05254.pdf | Dissertation_全文 | 47.44 MB | Adobe PDF | [公開前] |
| ykogk05254.pdf | Abstract_要旨 | 252.09 kB | Adobe PDF | 見る/開く |
| タイトル: | High-Field Transport at Heavily-Doped SiC Schottky Contacts and Formation of Non-Alloyed Ohmic Contacts |
| その他のタイトル: | 高濃度ドープSiCショットキー接合における高電界輸送および非合金化オーミック接合の形成 |
| 著者: | Hara, Masahiro |
| キーワード: | Silicon Carbide Schottky Contacts Ohmic Contacts Tunneling Current Ion Implantation Heavy Doping |
| 発行日: | 25-Mar-2024 |
| 出版者: | Kyoto University |
| 記述: | 付記する学位プログラム名: 京都大学卓越大学院プログラム「先端光・電子デバイス創成学」 |
| 学位授与大学: | 京都大学 |
| 学位の種類: | 新制・課程博士 |
| 取得分野: | 博士(工学) |
| 報告番号: | 甲第25295号 |
| 学位記番号: | 工博第5254号 |
| 学位授与年月日: | 2024-03-25 |
| 研究科・専攻: | 京都大学大学院工学研究科電子工学専攻 |
| 論文調査委員: | (主査)教授 木本 恒暢, 教授 白石 誠司, 准教授 船戸 充 |
| 学位授与の要件: | 学位規則第4条第1項該当 |
| 著作権等: | 許諾条件により本文は2025-03-10に公開 |
| DOI: | 10.14989/doctor.k25295 |
| URI: | http://hdl.handle.net/2433/288729 |
| 出現コレクション: | 090 博士(工学) |
このリポジトリに保管されているアイテムはすべて著作権により保護されています。