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完全メタデータレコード
| DCフィールド | 値 | 言語 |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Chen, Y | en |
| dc.contributor.author | Kimoto, T | en |
| dc.contributor.author | Takeuchi, Y | en |
| dc.contributor.author | Malhan, RK | en |
| dc.contributor.author | Matsunami, H | en |
| dc.date.accessioned | 2007-03-28T03:51:05Z | - |
| dc.date.available | 2007-03-28T03:51:05Z | - |
| dc.date.issued | 2004 | - |
| dc.identifier.issn | 0021-4922 | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/2433/3294 | - |
| dc.language.iso | eng | - |
| dc.publisher | INST PURE APPLIED PHYSICS | en |
| dc.subject | silicon carbide | en |
| dc.subject | homoepitaxy | en |
| dc.subject | trench structure | en |
| dc.subject | chemical vapor deposition process | en |
| dc.subject | characterization | en |
| dc.title | Homoepitaxy of 4H-SiC on trenched (0001) Si face substrates by chemical vapor deposition | en |
| dc.type | journal article | - |
| dc.type.niitype | Journal Article | - |
| dc.identifier.jtitle | JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS | en |
| dc.identifier.volume | 43 | - |
| dc.identifier.issue | 7A | - |
| dc.identifier.spage | 4105 | - |
| dc.identifier.epage | 4109 | - |
| dc.relation.doi | 10.1143/JJAP.43.4105 | - |
| dc.textversion | none | - |
| dcterms.accessRights | metadata only access | - |
| 出現コレクション: | 英文論文データベース | |
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