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完全メタデータレコード
| DCフィールド | 値 | 言語 |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Chen, Y | en |
| dc.contributor.author | Kimoto, T | en |
| dc.contributor.author | Takeuchi, Y | en |
| dc.contributor.author | Matsunami, H | en |
| dc.date.accessioned | 2007-03-28T04:23:26Z | - |
| dc.date.available | 2007-03-28T04:23:26Z | - |
| dc.date.issued | 2002 | - |
| dc.identifier.issn | 0022-0248 | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/2433/3297 | - |
| dc.language.iso | eng | - |
| dc.publisher | ELSEVIER SCIENCE BV | en |
| dc.subject | characterization | en |
| dc.subject | mesa structures | en |
| dc.subject | chemical vapor deposition processes | en |
| dc.subject | selective epitaxy | en |
| dc.subject | semiconducting silicon compounds | en |
| dc.title | Selective homoepitaxy of 4H-SiC on (0001) and (1 1 (2)over-bar 0) masked substrates | en |
| dc.type | journal article | - |
| dc.type.niitype | Journal Article | - |
| dc.identifier.jtitle | JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH | en |
| dc.identifier.volume | 237 | - |
| dc.identifier.spage | 1224 | - |
| dc.identifier.epage | 1229 | - |
| dc.relation.doi | 10.1016/S0022-0248(01)02176-5 | - |
| dc.textversion | none | - |
| dcterms.accessRights | metadata only access | - |
| 出現コレクション: | 英文論文データベース | |
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