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タイトル: Midgap levels in both n- and p-type 4H-SiC epilayers investigated by deep level transient spectroscopy
著者: Danno, K
Kimoto, T  kyouindb  KAKEN_id  orcid https://orcid.org/0000-0002-6649-2090 (unconfirmed)
Matsunami, H
発行日: 2005
出版者: AMER INST PHYSICS
誌名: APPLIED PHYSICS LETTERS
巻: 86
号: 12
論文番号: 122104
URI: http://hdl.handle.net/2433/3339
DOI(出版社版): 10.1063/1.1886904
リンク: Web of Science
出現コレクション:英文論文データベース

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