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完全メタデータレコード
| DCフィールド | 値 | 言語 |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Fujihira, K | en |
| dc.contributor.author | Tamura, S | en |
| dc.contributor.author | Kimoto, T | en |
| dc.contributor.author | Matsunami, H | en |
| dc.date.accessioned | 2007-03-28T04:18:53Z | - |
| dc.date.available | 2007-03-28T04:18:53Z | - |
| dc.date.issued | 2002 | - |
| dc.identifier.issn | 0018-9383 | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/2433/3459 | - |
| dc.language.iso | eng | - |
| dc.publisher | IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INC | en |
| dc.subject | minority carrier lifetime | en |
| dc.subject | on-resistance | en |
| dc.subject | p-i-n diode | en |
| dc.subject | power device | en |
| dc.subject | SiC | en |
| dc.title | Low-loss, high-voltage 6H-SiC epitaxial p-i-n diode | en |
| dc.type | journal article | - |
| dc.type.niitype | Journal Article | - |
| dc.identifier.jtitle | IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES | en |
| dc.identifier.volume | 49 | - |
| dc.identifier.issue | 1 | - |
| dc.identifier.spage | 150 | - |
| dc.identifier.epage | 154 | - |
| dc.relation.doi | 10.1109/16.974762 | - |
| dc.textversion | none | - |
| dcterms.accessRights | metadata only access | - |
| 出現コレクション: | 英文論文データベース | |
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