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dc.contributor.authorTsuji, Hen
dc.contributor.authorArai, Nen
dc.contributor.authorUeno, Ken
dc.contributor.authorMatsumoto, Ten
dc.contributor.authorGotoh, Nen
dc.contributor.authorAdachi, Ken
dc.contributor.authorKotaki, Hen
dc.contributor.authorGotoh, Yen
dc.contributor.authorIshikawa, Jen
dc.date.accessioned2007-03-28T05:40:14Z-
dc.date.available2007-03-28T05:40:14Z-
dc.date.issued2006-
dc.identifier.issn0168-583X-
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/2433/35033-
dc.language.isoeng-
dc.publisherELSEVIER SCIENCE BVen
dc.subjectnanoparticlesen
dc.subjectdelta-layered nanoparticlesen
dc.subjectnegative ionen
dc.subjection implantationen
dc.titleFormation of mono-layered gold nanoparticles in shallow depth of SiO2 thin film by low-energy negative-ion implantationen
dc.typejournal article-
dc.type.niitypeJournal Article-
dc.identifier.jtitleNUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMSen
dc.identifier.volume242-
dc.identifier.issue1-2-
dc.identifier.spage125-
dc.identifier.epage128-
dc.relation.doi10.1016/j.nimb.2005.08.103-
dc.textversionnone-
dcterms.accessRightsmetadata only access-
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