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完全メタデータレコード
| DCフィールド | 値 | 言語 |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Wada, K | en |
| dc.contributor.author | Kimoto, T | en |
| dc.contributor.author | Nishikawa, K | en |
| dc.contributor.author | Matsunami, H | en |
| dc.date.accessioned | 2007-03-28T05:44:35Z | - |
| dc.date.available | 2007-03-28T05:44:35Z | - |
| dc.date.issued | 2006 | - |
| dc.identifier.issn | 0022-0248 | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/2433/35352 | - |
| dc.language.iso | eng | - |
| dc.publisher | ELSEVIER SCIENCE BV | en |
| dc.subject | crystal morphology | en |
| dc.subject | hot wall epitaxy | en |
| dc.subject | vapor-phase epitaxy | en |
| dc.subject | semiconducting materials | en |
| dc.title | Epitaxial growth of 4H-SIC on 4 degrees off-axis (0001) and (0001) substrates by hot-wall chemical vapor deposition | en |
| dc.type | journal article | - |
| dc.type.niitype | Journal Article | - |
| dc.identifier.jtitle | JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH | en |
| dc.identifier.volume | 291 | - |
| dc.identifier.issue | 2 | - |
| dc.identifier.spage | 370 | - |
| dc.identifier.epage | 374 | - |
| dc.relation.doi | 10.1016/j.jcrysgro.2006.03.039 | - |
| dc.textversion | none | - |
| dcterms.accessRights | metadata only access | - |
| 出現コレクション: | 英文論文データベース | |
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