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dc.contributor.authorFunaki, Ten
dc.contributor.authorBalda, JCen
dc.contributor.authorJunghans, Jen
dc.contributor.authorJangwanitlert, Aen
dc.contributor.authorMounce, Sen
dc.contributor.authorBarlow, FDen
dc.contributor.authorMantooth, HAen
dc.contributor.authorKimoto, Ten
dc.contributor.authorHikihara, Ten
dc.date.accessioned2007-03-28T05:46:17Z-
dc.date.available2007-03-28T05:46:17Z-
dc.date.issued2005-
dc.identifier.issn1349-2543-
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/2433/35477-
dc.language.isoeng-
dc.publisherIEICE-INST ELECTRONICS INFORMATION COMMUNICATIONS ENGen
dc.subjectSiCen
dc.subjectJFETen
dc.subjectSchottky diodeen
dc.subjecthigh-temperature packagingen
dc.subject400 degrees C operationen
dc.subjectdc-dc buck converteren
dc.titleSwitching characteristics of SiC JFET and Schottky diode in high-temperature dc-dc power convertersen
dc.typejournal article-
dc.type.niitypeJournal Article-
dc.identifier.jtitleIEICE ELECTRONICS EXPRESSen
dc.identifier.volume2-
dc.identifier.issue3-
dc.identifier.spage97-
dc.identifier.epage102-
dc.relation.doi10.1587/elex.2.97-
dc.textversionnone-
dcterms.accessRightsmetadata only access-
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