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DCフィールド言語
dc.contributor.authorBrijs, Ben
dc.contributor.authorSajavaara, Ten
dc.contributor.authorGiangrandi, Sen
dc.contributor.authorJanssens, Ten
dc.contributor.authorConard, Ten
dc.contributor.authorArstila, Ken
dc.contributor.authorNakajima, Ken
dc.contributor.authorKimura, Ken
dc.contributor.authorBergmaier, Aen
dc.contributor.authorDollinger, Gen
dc.contributor.authorVantomme, Aen
dc.contributor.authorVandervorst, Wen
dc.date.accessioned2007-03-28T05:46:27Z-
dc.date.available2007-03-28T05:46:27Z-
dc.date.issued2006-
dc.identifier.issn0168-583X-
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/2433/35489-
dc.language.isoeng-
dc.publisherELSEVIER SCIENCE BVen
dc.subjectERDAen
dc.subjectthin film analysisen
dc.subjectlight elementsen
dc.subjectmicroelectronicsen
dc.titleThe analysis of a thin SiO2/Si3N4/SiO2 stack: A comparative study of low-energy heavy ion elastic recoil detection, high-resolution Rutherford backscattering, and secondary ion mass spectrometryen
dc.typejournal article-
dc.type.niitypeJournal Article-
dc.identifier.jtitleNUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMSen
dc.identifier.volume249-
dc.identifier.issue1-2-
dc.identifier.spage847-
dc.identifier.epage850-
dc.relation.doi10.1016/j.nimb.2006.03.191-
dc.textversionnone-
dcterms.accessRightsmetadata only access-
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