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完全メタデータレコード
| DCフィールド | 値 | 言語 |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Okada, T | en |
| dc.contributor.author | Ochi, K | en |
| dc.contributor.author | Kawahara, H | en |
| dc.contributor.author | Tomita, T | en |
| dc.contributor.author | Matsuo, S | en |
| dc.contributor.author | Yamaguchi, M | en |
| dc.contributor.author | Higashimine, K | en |
| dc.contributor.author | Kimoto, T | en |
| dc.date.accessioned | 2007-03-28T05:49:51Z | - |
| dc.date.available | 2007-03-28T05:49:51Z | - |
| dc.date.issued | 2006 | - |
| dc.identifier.issn | 0021-4922 | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/2433/35737 | - |
| dc.language.iso | eng | - |
| dc.publisher | INST PURE APPLIED PHYSICS | en |
| dc.subject | silicon carbide (SiC) | en |
| dc.subject | homoepitaxial film | en |
| dc.subject | surface morphological defect | en |
| dc.subject | transmission electron microscopy (TEM) | en |
| dc.subject | micro-Raman spectroscopy | en |
| dc.subject | zirconia (ZrO2) inclusion | en |
| dc.subject | sheared Frank dislocation | en |
| dc.title | Source of surface morphological defects formed on 4H-SiC homoepitaxial films | en |
| dc.type | journal article | - |
| dc.type.niitype | Journal Article | - |
| dc.identifier.jtitle | JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS | en |
| dc.identifier.volume | 45 | - |
| dc.identifier.issue | 10A | - |
| dc.identifier.spage | 7625 | - |
| dc.identifier.epage | 7631 | - |
| dc.relation.doi | 10.1143/JJAP.45.7625 | - |
| dc.textversion | none | - |
| dcterms.accessRights | metadata only access | - |
| 出現コレクション: | 英文論文データベース | |
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