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完全メタデータレコード
| DCフィールド | 値 | 言語 |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Osano, Y | en |
| dc.contributor.author | Mori, M | en |
| dc.contributor.author | Itabashi, N | en |
| dc.contributor.author | Takahashi, K | en |
| dc.contributor.author | Eriguchi, K | en |
| dc.contributor.author | Ono, K | en |
| dc.date.accessioned | 2007-03-28T05:50:28Z | - |
| dc.date.available | 2007-03-28T05:50:28Z | - |
| dc.date.issued | 2006 | - |
| dc.identifier.issn | 0021-4922 | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/2433/35781 | - |
| dc.language.iso | eng | - |
| dc.publisher | INST PURE APPLIED PHYSICS | en |
| dc.subject | electron-cyclotron-resonance plasma etching | en |
| dc.subject | silicon etching | en |
| dc.subject | chlorine chemistries | en |
| dc.subject | Monte Carlo simulation | en |
| dc.subject | feature profile evolution | en |
| dc.subject | etch anisotropy | en |
| dc.subject | microscopic uniformity | en |
| dc.subject | passivation layers | en |
| dc.title | A model analysis of feature profile evolution and microscopic uniformity during polysilicon gate etching in Cl-2/O-2 plasmas | en |
| dc.type | journal article | - |
| dc.type.niitype | Journal Article | - |
| dc.identifier.jtitle | JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS | en |
| dc.identifier.volume | 45 | - |
| dc.identifier.issue | 10B | - |
| dc.identifier.spage | 8157 | - |
| dc.identifier.epage | 8162 | - |
| dc.relation.doi | 10.1143/JJAP.45.8157 | - |
| dc.textversion | none | - |
| dcterms.accessRights | metadata only access | - |
| 出現コレクション: | 英文論文データベース | |
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