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完全メタデータレコード
| DCフィールド | 値 | 言語 |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Funaki, T | en |
| dc.contributor.author | Matsuzaki, S | en |
| dc.contributor.author | Kimoto, T | en |
| dc.contributor.author | Hikihara, T | en |
| dc.date.accessioned | 2007-03-28T05:50:30Z | - |
| dc.date.available | 2007-03-28T05:50:30Z | - |
| dc.date.issued | 2006 | - |
| dc.identifier.issn | 1349-2543 | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/2433/35784 | - |
| dc.language.iso | eng | - |
| dc.publisher | IEICE-INST ELECTRONICS INFORMATION COMMUNICATIONS ENG | en |
| dc.subject | C-V characteristics | en |
| dc.subject | high voltage | en |
| dc.subject | SiC | en |
| dc.subject | punch-through | en |
| dc.subject | parameter extraction | en |
| dc.title | Characterization of punch-through phenomenon in SiC-SBD by capacitance-voltage measurement at high reverse bias voltage | en |
| dc.type | journal article | - |
| dc.type.niitype | Journal Article | - |
| dc.identifier.jtitle | IEICE ELECTRONICS EXPRESS | en |
| dc.identifier.volume | 3 | - |
| dc.identifier.issue | 16 | - |
| dc.identifier.spage | 379 | - |
| dc.identifier.epage | 384 | - |
| dc.relation.doi | 10.1587/elex.3.379 | - |
| dc.textversion | none | - |
| dcterms.accessRights | metadata only access | - |
| 出現コレクション: | 英文論文データベース | |
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