このアイテムのアクセス数: 0
このアイテムのファイル:
このアイテムに関連するファイルはありません。
| タイトル: | Effects of Al ion implantation to 4H-SiC on the specific contact resistance of TiAl-based contact materials |
| 著者: | Ito, K Tsukimoto, S Murakami, M |
| キーワード: | ohmic contacts specific contact resistance Ti3SiC2 Al ion implantation 4H-SiC |
| 発行日: | 2006 |
| 出版者: | ELSEVIER SCI LTD |
| 誌名: | SCIENCE AND TECHNOLOGY OF ADVANCED MATERIALS |
| 巻: | 7 |
| 号: | 6 |
| 開始ページ: | 496 |
| 終了ページ: | 501 |
| URI: | http://hdl.handle.net/2433/35825 |
| DOI(出版社版): | 10.1016/j.stam.2006.04.011 |
| リンク: | Web of Science |
| 出現コレクション: | 英文論文データベース |
このリポジトリに保管されているアイテムはすべて著作権により保護されています。