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dc.contributor.authorDanno, Ken
dc.contributor.authorKimoto, Ten
dc.date.accessioned2007-03-28T05:52:11Z-
dc.date.available2007-03-28T05:52:11Z-
dc.date.issued2006-
dc.identifier.issn0021-8979-
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/2433/35905-
dc.language.isoeng-
dc.publisherAMER INST PHYSICSen
dc.titleInvestigation of deep levels in n-type 4H-SiC epilayers irradiated with low-energy electronsen
dc.typejournal article-
dc.type.niitypeJournal Article-
dc.identifier.jtitleJOURNAL OF APPLIED PHYSICSen
dc.identifier.volume100-
dc.identifier.issue11-
dc.relation.doi10.1063/1.2401658-
dc.textversionnone-
dc.identifier.artnum113728-
dcterms.accessRightsmetadata only access-
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