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完全メタデータレコード
| DCフィールド | 値 | 言語 |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Kimoto, T | en |
| dc.contributor.author | Wada, K | en |
| dc.contributor.author | Danno, K | en |
| dc.date.accessioned | 2007-03-28T05:53:00Z | - |
| dc.date.available | 2007-03-28T05:53:00Z | - |
| dc.date.issued | 2006 | - |
| dc.identifier.issn | 0749-6036 | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/2433/35963 | - |
| dc.language.iso | eng | - |
| dc.publisher | ACADEMIC PRESS LTD ELSEVIER SCIENCE LTD | en |
| dc.subject | silicon carbide (SiC) | en |
| dc.subject | chemical vapor deposition | en |
| dc.subject | surface polarity | en |
| dc.subject | deep level | en |
| dc.subject | impurity doping | en |
| dc.title | Epitaxial growth of 4H-SiC{0001} and reduction of deep levels | en |
| dc.type | journal article | - |
| dc.type.niitype | Journal Article | - |
| dc.identifier.jtitle | SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES | en |
| dc.identifier.volume | 40 | - |
| dc.identifier.issue | 4-6 | - |
| dc.identifier.spage | 225 | - |
| dc.identifier.epage | 232 | - |
| dc.relation.doi | 10.1016/j.spmi.2006.06.021 | - |
| dc.textversion | none | - |
| dcterms.accessRights | metadata only access | - |
| 出現コレクション: | 英文論文データベース | |
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