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dc.contributor.authorFunato, Men
dc.contributor.authorFujita, Sen
dc.contributor.authorYamamoto, Sen
dc.contributor.authorKaisei, Ken
dc.contributor.authorShimogami, Ken
dc.contributor.authorFujita, Sen
dc.date.accessioned2007-03-28T03:42:17Z-
dc.date.available2007-03-28T03:42:17Z-
dc.date.issued2001-
dc.identifier.issn0031-8965-
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/2433/3611-
dc.language.isoeng-
dc.publisherWILEY-V C H VERLAG GMBHen
dc.titleGrowth mechanism of hexagonal GaN on AlAs-pregrown GaAs(001) and {11n} substratesen
dc.typejournal article-
dc.type.niitypeJournal Article-
dc.identifier.jtitlePHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLIED RESEARCHen
dc.identifier.volume188-
dc.identifier.issue2-
dc.identifier.spage543-
dc.identifier.epage547-
dc.relation.doi10.1002/1521-396X(200112)188:2<543::AID-PSSA543>3.0.CO;2-J-
dc.textversionnone-
dcterms.accessRightsmetadata only access-
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