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完全メタデータレコード
| DCフィールド | 値 | 言語 |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Furukawa, Y | en |
| dc.contributor.author | Noda, S | en |
| dc.date.accessioned | 2007-03-28T03:17:07Z | - |
| dc.date.available | 2007-03-28T03:17:07Z | - |
| dc.date.issued | 2000 | - |
| dc.identifier.issn | 0022-0248 | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/2433/3631 | - |
| dc.language.iso | eng | - |
| dc.publisher | ELSEVIER SCIENCE BV | en |
| dc.subject | InAs/GaAs quantum dot | en |
| dc.subject | organometallic vapor-phase epitaxy | en |
| dc.subject | molecular beam epitaxy | en |
| dc.subject | anisotropic structure | en |
| dc.title | Difference of anisotropic structures of InAs/GaAs quantum dots between organometallic vapor-phase epitaxy and molecular beam epitaxy | en |
| dc.type | journal article | - |
| dc.type.niitype | Journal Article | - |
| dc.identifier.jtitle | JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH | en |
| dc.identifier.volume | 220 | - |
| dc.identifier.issue | 4 | - |
| dc.identifier.spage | 425 | - |
| dc.identifier.epage | 431 | - |
| dc.relation.doi | 10.1016/S0022-0248(00)00879-4 | - |
| dc.textversion | none | - |
| dcterms.accessRights | metadata only access | - |
| 出現コレクション: | 英文論文データベース | |
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