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完全メタデータレコード
| DCフィールド | 値 | 言語 |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Gotoh, Y | en |
| dc.contributor.author | Liao, MY | en |
| dc.contributor.author | Tsuji, H | en |
| dc.contributor.author | Ishikawa, J | en |
| dc.date.accessioned | 2007-03-28T04:13:57Z | - |
| dc.date.available | 2007-03-28T04:13:57Z | - |
| dc.date.issued | 2003 | - |
| dc.identifier.issn | 0021-4922 | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/2433/3679 | - |
| dc.language.iso | eng | - |
| dc.publisher | INST PURE APPLIED PHYSICS | en |
| dc.subject | hafnium nitride | en |
| dc.subject | compound target | en |
| dc.subject | sputtering | en |
| dc.subject | stoichiometry | en |
| dc.subject | orientation | en |
| dc.subject | stress | en |
| dc.subject | electrical resistivity | en |
| dc.subject | nitrogen composition | en |
| dc.title | Formation and control of stoichiometric hafnium nitride thin films by direct sputtering of hafnium nitride target | en |
| dc.type | journal article | - |
| dc.type.niitype | Journal Article | - |
| dc.identifier.jtitle | JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS | en |
| dc.identifier.volume | 42 | - |
| dc.identifier.issue | 7A | - |
| dc.identifier.spage | L778 | - |
| dc.identifier.epage | L780 | - |
| dc.relation.doi | 10.1143/JJAP.42.L778 | - |
| dc.textversion | none | - |
| dcterms.accessRights | metadata only access | - |
| 出現コレクション: | 英文論文データベース | |
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