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DCフィールド言語
dc.contributor.authorGu, JJen
dc.contributor.authorOh, MWen
dc.contributor.authorInui, Hen
dc.contributor.authorZhang, Den
dc.date.accessioned2007-03-28T03:23:58Z-
dc.date.available2007-03-28T03:23:58Z-
dc.date.issued2005-
dc.identifier.issn1098-0121-
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/2433/3696-
dc.language.isoeng-
dc.publisherAMERICAN PHYSICAL SOCen
dc.titleAnisotropy of mobility ratio between electron and hole along different orientations in ReGexSi1.75-x thermoelectric single crystalsen
dc.typejournal article-
dc.type.niitypeJournal Article-
dc.identifier.jtitlePHYSICAL REVIEW Ben
dc.identifier.volume71-
dc.identifier.issue11-
dc.relation.doi10.1103/PhysRevB.71.113201-
dc.textversionnone-
dc.identifier.artnum113201-
dcterms.accessRightsmetadata only access-
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