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dc.contributor.authorHattori, Ten
dc.contributor.authorYoshida, Ten
dc.contributor.authorShiraishi, Ten
dc.contributor.authorTakahashi, Ken
dc.contributor.authorNohira, Hen
dc.contributor.authorJoumori, Sen
dc.contributor.authorNakajima, Ken
dc.contributor.authorSuzuki, Men
dc.contributor.authorKimura, Ken
dc.contributor.authorKashiwagi, Ien
dc.contributor.authorOhshima, Cen
dc.contributor.authorOhmi, Sen
dc.contributor.authorIwai, Hen
dc.date.accessioned2007-03-28T04:12:34Z-
dc.date.available2007-03-28T04:12:34Z-
dc.date.issued2004-
dc.identifier.issn0167-9317-
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/2433/3830-
dc.language.isoeng-
dc.publisherELSEVIER SCIENCE BVen
dc.subjectRutherford back scatteringen
dc.subjectphotoelectron spectroscopyen
dc.subjecthigh-k dielectricsen
dc.subjectdepth profilingen
dc.subjectelectronic band structuresen
dc.titleComposition, chemical structure, and electronic band structure of rare earth oxide/Si(100) interfacial transition layeren
dc.typejournal article-
dc.type.niitypeJournal Article-
dc.identifier.jtitleMICROELECTRONIC ENGINEERINGen
dc.identifier.volume72-
dc.identifier.issue1-4-
dc.identifier.spage283-
dc.identifier.epage287-
dc.relation.doi10.1016/j.mee.2004.01.005-
dc.textversionnone-
dcterms.accessRightsmetadata only access-
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