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dc.contributor.authorFunato, Men
dc.contributor.authorIshido, Ten
dc.contributor.authorFujita, Sen
dc.contributor.authorFujita, Sen
dc.date.accessioned2007-06-14T06:23:26Z-
dc.date.available2007-06-14T06:23:26Z-
dc.date.issued2000-01-17-
dc.identifier.issn0003-6951-
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/2433/39634-
dc.format.extent260663 bytes-
dc.format.mimetypeapplication/pdf-
dc.language.isoeng-
dc.publisherAMER INST PHYSICSen
dc.rightsCopyright 2000 American Institute of Physics. This article may be downloaded for personal use only. Any other use requires prior permission of the author and the American Institute of Physics.en
dc.titleSix-bilayer periodic structures in GaN grown on GaAs(001)en
dc.typejournal article-
dc.type.niitypeJournal Article-
dc.identifier.jtitleAPPLIED PHYSICS LETTERSen
dc.identifier.volume76-
dc.identifier.issue3-
dc.identifier.spage330-
dc.identifier.epage332-
dc.relation.doi10.1063/1.125735-
dc.textversionpublisher-
dc.relation.urlhttp://link.aip.org/link/?apl/76/330-
dcterms.accessRightsopen access-
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