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dc.contributor.authorOba, Fen
dc.contributor.authorTatsumi, Ken
dc.contributor.authorAdachi, Hen
dc.contributor.authorTanaka, Ien
dc.date.accessioned2007-06-14T06:22:20Z-
dc.date.available2007-06-14T06:22:20Z-
dc.date.issued2001-03-12-
dc.identifier.issn0003-6951-
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/2433/39641-
dc.format.extent39554 bytes-
dc.format.mimetypeapplication/pdf-
dc.language.isoeng-
dc.publisherAMER INST PHYSICSen
dc.rightsCopyright 2001 American Institute of Physics. This article may be downloaded for personal use only. Any other use requires prior permission of the author and the American Institute of Physics.en
dc.titlen- and p-type dopants for cubic silicon nitrideen
dc.typejournal article-
dc.type.niitypeJournal Article-
dc.identifier.jtitleAPPLIED PHYSICS LETTERSen
dc.identifier.volume78-
dc.identifier.issue11-
dc.identifier.spage1577-
dc.identifier.epage1579-
dc.relation.doi10.1063/1.1354667-
dc.textversionpublisher-
dc.relation.urlhttp://link.aip.org/link/?apl/78/1577-
dcterms.accessRightsopen access-
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