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| ファイル | 記述 | サイズ | フォーマット | |
|---|---|---|---|---|
| IEEE_TED_49_150.pdf | 1.31 MB | Adobe PDF | 見る/開く |
完全メタデータレコード
| DCフィールド | 値 | 言語 |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Fujihira, K | en |
| dc.contributor.author | Tamura, S | en |
| dc.contributor.author | Kimoto, T | en |
| dc.contributor.author | Matsunami, H | en |
| dc.date.accessioned | 2007-06-14T06:23:03Z | - |
| dc.date.available | 2007-06-14T06:23:03Z | - |
| dc.date.issued | 2002-01 | - |
| dc.identifier.issn | 0018-9383 | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/2433/39984 | - |
| dc.format.extent | 1338185 bytes | - |
| dc.format.mimetype | application/pdf | - |
| dc.language.iso | eng | - |
| dc.publisher | IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INC | en |
| dc.rights | (c)2002 IEEE. Personal use of this material is permitted. However, permission to reprint/republish this material for advertising or promotional purposes or for creating new collective works for resale or redistribution to servers or lists, or to reuse any copyrighted component of this work in other works must be obtained from the IEEE. | en |
| dc.title | Low-loss, high-voltage 6H-SiC epitaxial p-i-n diode | en |
| dc.type | journal article | - |
| dc.type.niitype | Journal Article | - |
| dc.identifier.jtitle | IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES | en |
| dc.identifier.volume | 49 | - |
| dc.identifier.issue | 1 | - |
| dc.identifier.spage | 150 | - |
| dc.identifier.epage | 154 | - |
| dc.relation.doi | 10.1109/16.974762 | - |
| dc.textversion | publisher | - |
| dcterms.accessRights | open access | - |
| 出現コレクション: | 学術雑誌掲載論文等 | |
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