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完全メタデータレコード
DCフィールド | 値 | 言語 |
---|---|---|
dc.contributor.author | Ikeda, M | en |
dc.contributor.author | Mitsusue, R | en |
dc.contributor.author | Nakagawa, M | en |
dc.contributor.author | Kondo, S | en |
dc.contributor.author | Imai, M | en |
dc.contributor.author | Imanishi, N | en |
dc.date.accessioned | 2007-03-28T03:14:18Z | - |
dc.date.available | 2007-03-28T03:14:18Z | - |
dc.date.issued | 2003 | - |
dc.identifier.issn | 0168-583X | - |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/2433/4105 | - |
dc.language.iso | eng | - |
dc.publisher | ELSEVIER SCIENCE BV | en |
dc.subject | hydrogen-trapping | en |
dc.subject | thermal behavior | en |
dc.subject | implantation | en |
dc.subject | Si nanocrystal | en |
dc.subject | Si/SiO2 | en |
dc.title | Behavior of hydrogen implanted into Si-implanted SiO2 | en |
dc.type | journal article | - |
dc.type.niitype | Journal Article | - |
dc.identifier.jtitle | NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS | en |
dc.identifier.volume | 209 | - |
dc.identifier.spage | 154 | - |
dc.identifier.epage | 158 | - |
dc.relation.doi | 10.1016/S0168-583X(02)02008-6 | - |
dc.textversion | none | - |
dcterms.accessRights | metadata only access | - |
出現コレクション: | 英文論文データベース |

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