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dc.contributor.authorIkeda, Men
dc.contributor.authorMitsusue, Ren
dc.contributor.authorNakagawa, Men
dc.contributor.authorKondo, Sen
dc.contributor.authorImai, Men
dc.contributor.authorImanishi, Nen
dc.date.accessioned2007-03-28T03:14:18Z-
dc.date.available2007-03-28T03:14:18Z-
dc.date.issued2003-
dc.identifier.issn0168-583X-
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/2433/4105-
dc.language.isoeng-
dc.publisherELSEVIER SCIENCE BVen
dc.subjecthydrogen-trappingen
dc.subjectthermal behavioren
dc.subjectimplantationen
dc.subjectSi nanocrystalen
dc.subjectSi/SiO2en
dc.titleBehavior of hydrogen implanted into Si-implanted SiO2en
dc.typejournal article-
dc.type.niitypeJournal Article-
dc.identifier.jtitleNUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMSen
dc.identifier.volume209-
dc.identifier.spage154-
dc.identifier.epage158-
dc.relation.doi10.1016/S0168-583X(02)02008-6-
dc.textversionnone-
dcterms.accessRightsmetadata only access-
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