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| タイトル: | Quantum chemical study of gas-phase reactions of trimethylaluminium and triethylaluminium with ammonia in III-V nitride semiconductor crystal growth |
| 著者: | Ikenaga, M Nakamura, K  Tachibana, A Matsumoto, K |
| キーワード: | computer simulation regional density functional theory parasitic reactions gallium compounds nitrides semiconducting III-V materials |
| 発行日: | 2002 |
| 出版者: | ELSEVIER SCIENCE BV |
| 誌名: | JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH |
| 巻: | 237 |
| 開始ページ: | 936 |
| 終了ページ: | 941 |
| URI: | http://hdl.handle.net/2433/4117 |
| DOI(出版社版): | 10.1016/S0022-0248(01)02002-4 |
| リンク: | Web of Science |
| 出現コレクション: | 英文論文データベース |
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