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完全メタデータレコード
| DCフィールド | 値 | 言語 |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Kimoto, T | en |
| dc.contributor.author | Fujimiza, K | en |
| dc.contributor.author | Shiomi, H | en |
| dc.contributor.author | Matsunami, H | en |
| dc.date.accessioned | 2007-03-28T03:15:10Z | - |
| dc.date.available | 2007-03-28T03:15:10Z | - |
| dc.date.issued | 2003 | - |
| dc.identifier.issn | 0021-4922 | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/2433/4857 | - |
| dc.language.iso | eng | - |
| dc.publisher | INST PURE APPLIED PHYSICS | en |
| dc.subject | silicon carbide | en |
| dc.subject | Schottky barrier diode | en |
| dc.subject | power device | en |
| dc.subject | dislocation | en |
| dc.subject | wide band-gap semiconductor | en |
| dc.title | High-voltage 4H-SiC Schottky barrier diodes fabricated on (03(3)over-bar8) with closed micropipes | en |
| dc.type | journal article | - |
| dc.type.niitype | Journal Article | - |
| dc.identifier.jtitle | JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS | en |
| dc.identifier.volume | 42 | - |
| dc.identifier.issue | 1A-B | - |
| dc.identifier.spage | L13 | - |
| dc.identifier.epage | L16 | - |
| dc.relation.doi | 10.1143/JJAP.42.L13 | - |
| dc.textversion | none | - |
| dcterms.accessRights | metadata only access | - |
| 出現コレクション: | 英文論文データベース | |
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