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完全メタデータレコード
| DCフィールド | 値 | 言語 |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Kimoto, T | en |
| dc.contributor.author | Hirao, T | en |
| dc.contributor.author | Nakazawa, S | en |
| dc.contributor.author | Shiomi, H | en |
| dc.contributor.author | Matsunami, H | en |
| dc.date.accessioned | 2007-03-28T03:31:02Z | - |
| dc.date.available | 2007-03-28T03:31:02Z | - |
| dc.date.issued | 2003 | - |
| dc.identifier.issn | 0022-0248 | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/2433/4860 | - |
| dc.language.iso | eng | - |
| dc.publisher | ELSEVIER SCIENCE BV | en |
| dc.subject | chemical vapor deposition | en |
| dc.subject | vapor phase epitaxy | en |
| dc.subject | semiconducting silicon compounds | en |
| dc.subject | doping | en |
| dc.title | Homoepitaxial growth of 4H-SiC(0 3 (3)over-bar-8) and nitrogen doping by chemical vapor deposition | en |
| dc.type | journal article | - |
| dc.type.niitype | Journal Article | - |
| dc.identifier.jtitle | JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH | en |
| dc.identifier.volume | 249 | - |
| dc.identifier.issue | 1-2 | - |
| dc.identifier.spage | 208 | - |
| dc.identifier.epage | 215 | - |
| dc.relation.doi | 10.1016/S0022-0248(02)02098-5 | - |
| dc.textversion | none | - |
| dcterms.accessRights | metadata only access | - |
| 出現コレクション: | 英文論文データベース | |
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