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完全メタデータレコード
| DCフィールド | 値 | 言語 |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Kimoto, T | en |
| dc.contributor.author | Kanzaki, Y | en |
| dc.contributor.author | Noborio, M | en |
| dc.contributor.author | Kawano, H | en |
| dc.contributor.author | Matsunami, H | en |
| dc.date.accessioned | 2007-03-28T03:35:35Z | - |
| dc.date.available | 2007-03-28T03:35:35Z | - |
| dc.date.issued | 2005 | - |
| dc.identifier.issn | 0021-4922 | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/2433/4861 | - |
| dc.language.iso | eng | - |
| dc.publisher | INST PURE APPLIED PHYSICS | en |
| dc.subject | silicon carbide | en |
| dc.subject | MOS interface | en |
| dc.subject | oxidation | en |
| dc.subject | MOSFET | en |
| dc.subject | channel mobility | en |
| dc.subject | non-basal plane | en |
| dc.title | Interface properties of metal-oxide-semiconductor structures on 4H-SiC{0001} and (112(-)over-bar) formed by N2O oxidation | en |
| dc.type | journal article | - |
| dc.type.niitype | Journal Article | - |
| dc.identifier.jtitle | JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS | en |
| dc.identifier.volume | 44 | - |
| dc.identifier.issue | 3 | - |
| dc.identifier.spage | 1213 | - |
| dc.identifier.epage | 1218 | - |
| dc.relation.doi | 10.1143/JJAP.44.1213 | - |
| dc.textversion | none | - |
| dcterms.accessRights | metadata only access | - |
| 出現コレクション: | 英文論文データベース | |
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