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タイトル: | 1330 V, 67 m Omega center dot cm(2) 4H-SiC(0001) RESURF MOSFET |
著者: | Kimoto, T Kawano, H Suda, J |
キーワード: | power device power MOSFET reduced surface field (RESURF) silicon carbide (SiC) |
発行日: | 2005 |
出版者: | IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INC |
誌名: | IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS |
巻: | 26 |
号: | 9 |
開始ページ: | 649 |
終了ページ: | 651 |
URI: | http://hdl.handle.net/2433/4862 |
DOI(出版社版): | 10.1109/LED.2005.854371 |
リンク: | Web of Science |
出現コレクション: | 英文論文データベース |
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