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タイトル: 1330 V, 67 m Omega center dot cm(2) 4H-SiC(0001) RESURF MOSFET
著者: Kimoto, T
Kawano, H
Suda, J
キーワード: power device
power MOSFET
reduced surface
field (RESURF)
silicon carbide (SiC)
発行日: 2005
出版者: IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INC
誌名: IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS
巻: 26
号: 9
開始ページ: 649
終了ページ: 651
URI: http://hdl.handle.net/2433/4862
DOI(出版社版): 10.1109/LED.2005.854371
リンク: Web of Science
出現コレクション:英文論文データベース

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