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dc.contributor.authorKimoto, Ten
dc.contributor.authorMiyamoto, Nen
dc.contributor.authorSchoner, Aen
dc.contributor.authorSaitoh, Aen
dc.contributor.authorMatsunami, Hen
dc.contributor.authorAsano, Ken
dc.contributor.authorSugawara, Yen
dc.date.accessioned2007-03-28T03:21:50Z-
dc.date.available2007-03-28T03:21:50Z-
dc.date.issued2002-
dc.identifier.issn0021-8979-
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/2433/4865-
dc.language.isoeng-
dc.publisherAMER INST PHYSICSen
dc.titleHigh-energy (MeV) Al and B ion implantations into 4H-SiC and fabrication of pin diodesen
dc.typejournal article-
dc.type.niitypeJournal Article-
dc.identifier.jtitleJOURNAL OF APPLIED PHYSICSen
dc.identifier.volume91-
dc.identifier.issue7-
dc.identifier.spage4242-
dc.identifier.epage4248-
dc.relation.doi10.1063/1.1459096-
dc.textversionnone-
dcterms.accessRightsmetadata only access-
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