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dc.contributor.authorKimura, Ken
dc.contributor.authorNakajima, Ken
dc.contributor.authorOkazaki, Yen
dc.contributor.authorKobayashi, Hen
dc.contributor.authorMiwa, Sen
dc.contributor.authorSatori, Ken
dc.date.accessioned2007-03-28T03:10:47Z-
dc.date.available2007-03-28T03:10:47Z-
dc.date.issued2000-
dc.identifier.issn0021-4922-
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/2433/4885-
dc.language.isoeng-
dc.publisherJAPAN J APPLIED PHYSICSen
dc.subjectsilicon oxynitrideen
dc.subjectultrathin filmen
dc.subjectnitrogen depth profileen
dc.subjectRBSen
dc.subjecthigh-resolutionen
dc.subjectSIMSen
dc.subjectAESen
dc.titleNitrogen depth profiling in ultrathin silicon oxynitride films with high-resolution rutherford backscattering spectroscopyen
dc.typejournal article-
dc.type.niitypeJournal Article-
dc.identifier.jtitleJAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERSen
dc.identifier.volume39-
dc.identifier.issue7B-
dc.identifier.spage4663-
dc.identifier.epage4665-
dc.relation.doi10.1143/JJAP.39.4663-
dc.textversionnone-
dcterms.accessRightsmetadata only access-
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