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dc.contributor.authorKimura, Ken
dc.contributor.authorOota, Yen
dc.contributor.authorNakajima, Ken
dc.contributor.authorSuzuki, Men
dc.contributor.authorAoki, Ten
dc.contributor.authorMatsuo, Jen
dc.contributor.authorAgarwal, Aen
dc.contributor.authorFreer, Ben
dc.contributor.authorStevenson, Aen
dc.contributor.authorAmeen, Men
dc.date.accessioned2007-03-28T03:27:54Z-
dc.date.available2007-03-28T03:27:54Z-
dc.date.issued2003-
dc.identifier.issn0168-583X-
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/2433/4889-
dc.language.isoeng-
dc.publisherELSEVIER SCIENCE BVen
dc.subjectmolecular effecten
dc.subjectprojected rangeen
dc.subjectultralow-energy ion implantationen
dc.subjecthigh-resolution Rutherford backscattering spectroscopyen
dc.titleMolecular effect on projected range in ultralow-energy ion implantationen
dc.typejournal article-
dc.type.niitypeJournal Article-
dc.identifier.jtitleNUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMSen
dc.identifier.volume211-
dc.identifier.issue2-
dc.identifier.spage206-
dc.identifier.epage210-
dc.relation.doi10.1016/S0168-583X(03)01249-7-
dc.textversionnone-
dcterms.accessRightsmetadata only access-
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