Scanning tunneling microscopy barrier height imaging of subsurface dopant atoms on hydrogen-terminated Si(111)

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http://hdl.handle.net/2433/4999

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タイトル:	Scanning tunneling microscopy barrier height imaging of subsurface dopant atoms on hydrogen-terminated Si(111)
著者:	Kobayashi, K Kurokawa, S https://orcid.org/0000-0003-3934-1040 (unconfirmed) Sakai, A
キーワード:	scanning tunneling microscopy (STM) barrier height hydrogen terminated Si(111) 1 x 1 dopant passivation
発行日:	2004
出版者:	INST PURE APPLIED PHYSICS
誌名:	JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS
巻:	43
号:	7B
開始ページ:	4571
終了ページ:	4574
URI:	http://hdl.handle.net/2433/4999
DOI(出版社版):	10.1143/JJAP.43.4571
リンク:	Web of Science
出現コレクション:	英文論文データベース

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