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dc.contributor.authorYamaguchi, Sen
dc.contributor.authorKurusu, Hen
dc.contributor.authorKawakami, Yen
dc.contributor.authorFujita, Sen
dc.contributor.authorFujita, Sen
dc.date.accessioned2008-03-18T01:06:30Z-
dc.date.available2008-03-18T01:06:30Z-
dc.date.issued2000-04-15-
dc.identifier.issn1098-0121-
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/2433/50157-
dc.language.isoeng-
dc.publisherAMERICAN PHYSICAL SOCen
dc.rightsCopyright 2000 American Physical Societyen
dc.titleEffect of degree of localization and confinement dimensionality of excitons on their recombination process in CdSe/ZnSe/ZnSxSe1-x single quantum well structuresen
dc.typejournal article-
dc.type.niitypeJournal Article-
dc.identifier.jtitlePHYSICAL REVIEW Ben
dc.identifier.volume61-
dc.identifier.issue15-
dc.identifier.spage10303-
dc.identifier.epage10313-
dc.relation.doi10.1103/PhysRevB.61.10303-
dc.textversionpublisher-
dc.relation.urlhttp://link.aps.org/abstract/PRB/v61/p10303-
dcterms.accessRightsopen access-
出現コレクション:学術雑誌掲載論文等

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