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ApplPhysLett_78_2730.pdf59.92 kBAdobe PDF見る/開く
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dc.contributor.authorUchino, Ten
dc.contributor.authorTakahashi, Men
dc.contributor.authorYoko, Ten
dc.date.accessioned2008-03-18T01:15:32Z-
dc.date.available2008-03-18T01:15:32Z-
dc.date.issued2001-04-30-
dc.identifier.issn0003-6951-
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/2433/50382-
dc.language.isoeng-
dc.publisherAMER INST PHYSICSen
dc.rightsCopyright 2001 American Institute of Physics. This article may be downloaded for personal use only. Any other use requires prior permission of the author and the American Institute of Physics.en
dc.titleStructure and formation mechanism of the E-alpha(') center in amorphous SiO2en
dc.typejournal article-
dc.type.niitypeJournal Article-
dc.identifier.jtitleAPPLIED PHYSICS LETTERSen
dc.identifier.volume78-
dc.identifier.issue18-
dc.identifier.spage2730-
dc.identifier.epage2732-
dc.relation.doi10.1063/1.1369147-
dc.textversionpublisher-
dc.relation.urlhttp://link.aip.org/link/?apl/78/2730-
dcterms.accessRightsopen access-
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