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dc.contributor.authorUchino, Ten
dc.contributor.authorTakahashi, Men
dc.contributor.authorYoko, Ten
dc.date.accessioned2008-03-18T01:15:37Z-
dc.date.available2008-03-18T01:15:37Z-
dc.date.issued2000-12-15-
dc.identifier.issn0163-1829-
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/2433/50388-
dc.language.isoeng-
dc.publisherAMERICAN PHYSICAL SOCen
dc.rightsCopyright 2000 American Physical Societyen
dc.titleStructure and paramagnetic properties of defect centers in Ge-doped SiO2 glass: Localized and delocalized Ge E ' centersen
dc.typejournal article-
dc.type.niitypeJournal Article-
dc.identifier.jtitlePHYSICAL REVIEW Ben
dc.identifier.volume62-
dc.identifier.issue23-
dc.identifier.spage15303-
dc.identifier.epage15306-
dc.relation.doi10.1103/PhysRevB.62.15303-
dc.textversionpublisher-
dc.relation.urlhttp://link.aps.org/abstract/PRB/v62/p15303-
dcterms.accessRightsopen access-
出現コレクション:学術雑誌掲載論文等

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