このアイテムのアクセス数: 440
このアイテムのファイル:
| ファイル | 記述 | サイズ | フォーマット | |
|---|---|---|---|---|
| p1475_1.pdf | 165.57 kB | Adobe PDF | 見る/開く |
完全メタデータレコード
| DCフィールド | 値 | 言語 |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Uchino, T | en |
| dc.contributor.author | Takahashi, M | en |
| dc.contributor.author | Yoko, T | en |
| dc.date.accessioned | 2008-03-18T01:15:39Z | - |
| dc.date.available | 2008-03-18T01:15:39Z | - |
| dc.date.issued | 2000-02-14 | - |
| dc.identifier.issn | 0031-9007 | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/2433/50390 | - |
| dc.language.iso | eng | - |
| dc.publisher | AMERICAN PHYSICAL SOC | en |
| dc.rights | Copyright 2000 American Physical Society | en |
| dc.title | Structure and formation mechanism of Ge E ' center from divalent defects in Ge-doped SiO2 glass | en |
| dc.type | journal article | - |
| dc.type.niitype | Journal Article | - |
| dc.identifier.jtitle | PHYSICAL REVIEW LETTERS | en |
| dc.identifier.volume | 84 | - |
| dc.identifier.issue | 7 | - |
| dc.identifier.spage | 1475 | - |
| dc.identifier.epage | 1478 | - |
| dc.relation.doi | 10.1103/PhysRevLett.84.1475 | - |
| dc.textversion | publisher | - |
| dc.identifier.pmid | 11017546 | - |
| dc.relation.url | http://link.aps.org/abstract/PRL/v84/p1475 | - |
| dcterms.accessRights | open access | - |
| 出現コレクション: | 学術雑誌掲載論文等 | |
このリポジトリに保管されているアイテムはすべて著作権により保護されています。