Density functional study on the mechanism of the C-X (X = Sn, Ge, Si, C, H) or bond oxidative addition of HC CR (R = SnH3, GeH3, SiH3, CH3, H) to the (PH3)(2)M (M = Ni, Pd, Pt) complexes. Does the substrate approach the metal in a parallel or perpendicular manner?

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http://hdl.handle.net/2433/5449

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タイトル:	Density functional study on the mechanism of the C-X (X = Sn, Ge, Si, C, H) or bond oxidative addition of HC CR (R = SnH3, GeH3, SiH3, CH3, H) to the (PH3)(2)M (M = Ni, Pd, Pt) complexes. Does the substrate approach the metal in a parallel or perpendicular manner?
著者:	Matsubara, T Hirao, K
発行日:	2002
出版者:	AMER CHEMICAL SOC
誌名:	ORGANOMETALLICS
巻:	21
号:	21
開始ページ:	4482
終了ページ:	4489
URI:	http://hdl.handle.net/2433/5449
DOI(出版社版):	10.1021/om020208o
リンク:	Web of Science
出現コレクション:	英文論文データベース

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