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完全メタデータレコード
| DCフィールド | 値 | 言語 |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Matsumoto, K | en |
| dc.contributor.author | Tachibana, A | en |
| dc.date.accessioned | 2007-03-28T03:54:33Z | - |
| dc.date.available | 2007-03-28T03:54:33Z | - |
| dc.date.issued | 2004 | - |
| dc.identifier.issn | 0022-0248 | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/2433/5519 | - |
| dc.language.iso | eng | - |
| dc.publisher | ELSEVIER SCIENCE BV | en |
| dc.subject | gas-phase chemistry | en |
| dc.subject | chemical vapor deposition | en |
| dc.subject | metalorganic vapor phase epitaxy | en |
| dc.subject | AlGaN | en |
| dc.subject | GaN | en |
| dc.title | Growth mechanism of atmospheric pressure MOVPE of GaN and its alloys: gas phase chemistry and its impact on reactor design | en |
| dc.type | journal article | - |
| dc.type.niitype | Journal Article | - |
| dc.identifier.jtitle | JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH | en |
| dc.identifier.volume | 272 | - |
| dc.identifier.issue | 1-4 | - |
| dc.identifier.spage | 360 | - |
| dc.identifier.epage | 369 | - |
| dc.relation.doi | 10.1016/j.jcrysgro.2004.08.115 | - |
| dc.textversion | none | - |
| dcterms.accessRights | metadata only access | - |
| 出現コレクション: | 英文論文データベース | |
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