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ファイル | 記述 | サイズ | フォーマット | |
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D_Zhao_Ming.pdf | Dissertation_全文 | 1.95 MB | Adobe PDF | 見る/開く |
ykogk02918.pdf | Abstract_要旨 | 1.15 MB | Adobe PDF | 見る/開く |
タイトル: | Studies on High-k Gate Stacks by High-resolution Rutherford Backscattering Spectroscopy |
その他のタイトル: | 高分解能ラザフォード後方散乱法による高誘電率ゲートスタック構造に関する研究 |
著者: | Zhao, Ming |
著者名の別形: | 趙, 明 |
キーワード: | high-k gate stacks high-resolution RBS |
発行日: | 24-Mar-2008 |
出版者: | 京都大学 (Kyoto University) |
抄録: | This thesis is on the study of the characterization of interfaces and surfaces of high-k stacks for the future microelectronics. The changes of the high-k stacks during thermal processing and its mechanism have been experimentally investigated by high-resolution Rutherford Backscattering Spectrometry (HRBS) in combination with isotope tracing. The experimental results are consistent with the theoretical prediction that the silicon will be emitted outward to release the stress which is induced by the interface Si oxidation. Then, we studied the potential method, oxygen-gettering by Ti overlayer, for controlling the interface SiO2 thickness. Furthermore, we proposed a Time-Of-Flight (TOF) detector system for application on crystallographic analysis. TOF-RBS system is capable to analyze the sample’s crystallographic and chemical information even at the near surface of the sample, which is strongly required by the future microelectronics industry. In this chapter, brief introduction to the high-k stacks and the outline of this thesis are described. |
学位授与大学: | 京都大学 |
学位の種類: | 新制・課程博士 |
取得分野: | 博士(工学) |
報告番号: | 甲第13814号 |
学位記番号: | 工博第2918号 |
学位授与年月日: | 2008-03-24 |
請求記号: | 新制||工||1431(附属図書館) |
整理番号: | 26030 |
研究科・専攻: | 京都大学大学院工学研究科マイクロエンジニアリング専攻 |
論文調査委員: | (主査)教授 木村 健二, 教授 斧 髙一, 教授 立花 明知 |
学位授与の要件: | 学位規則第4条第1項該当 |
DOI: | 10.14989/doctor.k13814 |
URI: | http://hdl.handle.net/2433/57263 |
出現コレクション: | 090 博士(工学) |
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