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dc.contributor.authorMotomura, Hen
dc.contributor.authorImai, Sen
dc.contributor.authorTachibana, Ken
dc.date.accessioned2007-03-28T03:11:25Z-
dc.date.available2007-03-28T03:11:25Z-
dc.date.issued2000-
dc.identifier.issn0040-6090-
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/2433/5914-
dc.language.isoeng-
dc.publisherELSEVIER SCIENCE SAen
dc.subjectFT-IR ellipsometryen
dc.subjectpolymer depositionen
dc.subjectetching rateen
dc.subjectselectivityen
dc.subjectelectron attachment mass spectrometryen
dc.subjectpolymerized speciesen
dc.titleDifference between C4F8 and C5F8 plasmas in surface reaction processes for selective etching of SiO2 over Si3N4en
dc.typejournal article-
dc.type.niitypeJournal Article-
dc.identifier.jtitleTHIN SOLID FILMSen
dc.identifier.volume374-
dc.identifier.issue2-
dc.identifier.spage243-
dc.identifier.epage248-
dc.relation.doi10.1016/S0040-6090(00)01157-3-
dc.textversionnone-
dcterms.accessRightsmetadata only access-
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